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IEEE Transactions on Electron Devices
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Disponibilidad
| Institución detectada | Período | Navegá | Descargá | Solicitá |
|---|---|---|---|---|
| No detectada | desde ene. 2004 / hasta dic. 2020 | IEEE Xplore |
Información
Tipo de recurso:
revistas
ISSN impreso
0018-9383
ISSN electrónico
1557-9646
País de edición
Estados Unidos
Fecha de publicación
1963-
Cobertura temática
Tabla de contenidos
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Understanding High-Energy 75-MeV Sulfur-Ion Irradiation-Induced Degradation in GaN-Based Heterostructures: The Role of the GaN Channel Layer
Seshagiri Rao Challa
; Nahuel A. Vega; Nahuel A. Mueller; Christian Kristukat; Mario E. Debray; Hartmut Witte; Armin Dadgar; Andre Strittmatter
Palabras clave: Electrical and Electronic Engineering; Electronic, Optical and Magnetic Materials.
Pp. 24-28