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Título de Acceso Abierto

Estudio de las interfaces (óxido de conducción iónica/óxido semiconductor/gas)-Obtención de un nuevo sensor de gases

Diego Germán Lamas Noemí Elizabeth Walsöe de Reca

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Resumen/Descripción – provisto por el repositorio digital
En este trabajo de Tesis Doctoral se estudiaron nuevos métodos de obtención de materiales funcionales nanoestructurados para sensores de gases por gelificación-combustión, como así también sus propiedades estructurales y eléctricas. Los materiales analizados fueron: dióxido de circonio (o “circonia”, ZrO2) dopado con Y203, MgO, CaO o CeO2 (óxidos de conducción iónica) y dióxido de estaño (SnO2, semiconductor). Sobre la base del conocimiento de las propiedades de la interfaz [óxido de conducción iónica/óxido semiconductor] se obtuvieron dos sensores originales de monóxido de carbono (CO), construidos con discos cerámicos de circonia tetragonal policristalina estabilizada con itria (Y-TZP) y con electrodos de Sn02 de dos tipos (peliculas gruesas depositadas por técnicas serigráficas con polvos nanocristalinos de SnO2 como agente activo y películas delgadas crecidas por “flash-pyrolysis”), depositados en forma simétrica sobre ambas caras del disco. Se empleó la técnica de espectroscopía de impedancia electroquímica para la caracterización eléctrica de las interfaces. Ambos sensores resultaron operables en el rango 400-550°C, mostrando alta sensibilidad y respuesta rápida (lO-20 seg.) frente a bajas concentraciones (10-350 ppm) de CO en aire sintético, señalando un nuevo procedimiento para sensar gases. Se destacan ventajas de estos sensores con respecto al único dispositivo similar registrado por la literatura, el cual debe operar a altas temperaturas ya que emplea como óxido conductor iónico la circonia estabilizada en su fase cúbica.
Palabras clave – provistas por el repositorio digital

MATERIALES NANOESTRUCTURADOS; SENSORES DE GASES; INTERFAZ [OXIDO DE CONDUCCION IONICA/OXIDO SEMICONDUCTOR/GAS; INTEFAZ[Y-TZP/SnO2]; NANOSTRUCTURE MATERIALS; GAS SENSORS; [IONIC CONDUCTOR OXIDE/SEMICONDUCTOR OXIDE/GAS]INTERFACE; [Y-TZP/SnO2]INTERFACE

Disponibilidad
Institución detectada Año de publicación Navegá Descargá Solicitá
No requiere 1999 Biblioteca Digital (FCEN-UBA) (SNRD) acceso abierto

Información

Tipo de recurso:

tesis

Idiomas de la publicación

  • español castellano

País de edición

Argentina

Fecha de publicación

Información sobre licencias CC

https://creativecommons.org/licenses/by/2.5/ar/